|
采用Intel Xeon 双核处理器，业界最先进的65纳米工艺科技制造，双核心的强劲动力配合4M大容量二级缓存带来计算性能的飞速提升，相比同频率下单核提升80%。
采用Fully Buffer DIMM 533内存，性能比DDRII 400提升30%，支持高级ECC功能，支持内存热备份，保证了内存系统的稳定可靠。
支持业界先进的SAS存储技术，高达6块的存储有效突破320MB/S SCSI总线带宽限制，极大扩展了数据IO吞吐能力，数据线的减少简化了系统设计，为客户节约成本。
双PCI-E千兆网卡，支持负载均衡、冗余等功能。
|